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　　KIA4603AE场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流7A，采用先进的高密度沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 14.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，高效低耗；低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及满足RoHs和绿色产品的要求，稳定可靠；适用于同步降压转换器、...

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　　KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，低栅极电荷、高坚固性、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，实现快速...